白皮书:理解体积FinFET器件性能变异性的影响

事实证明，2d mosfet很难缩小到20nm或更高。取而代之的是3D FinFET晶体管，这种新型器件可以缩小到更小的节点尺寸。10nm工艺FinFET用于SoC产品的批量生产，7nm工艺FinFET的研究正在进展。FinFET晶体管提供更低的动态功率消耗(由于更平坦的I-V曲线)，改善了对短通道效应的控制，降低泄漏电流，优越的开/关对比度，最重要的是，每个晶体管比2d MOSFET技术更小的晶圆面积。

不幸的是，从平面到FinFET技术的转变带来了3D设备几何结构的新变化来源。3D设备模拟可以是一个非常有用的工具，以调查这种可变性对设备性能的影响。3D仿真被广泛应用于分析和优化MOSFET的特性，如阈值电压、开/关电流、亚阈值振荡和由于翅片几何形状变化、掺杂浓度和其他3D器件几何形状变化而引起的漏极诱导势垒降低。此外，可以利用SEMulator3D等半导体工艺仿真平台探讨工艺分布和粗糙度的随机波动的影响^®．