WhitePaper：自对准翅片为24nm间距及更远的翅片阵列的最后一个图案化方案

在5 nm FinFET技术和超越中，需要24 nm的鳍间距需要SRAM单元尺寸减小到6个轨道。Fin Depopulation是强制性的，以实现区域缩放，但它在小间距时变得具有挑战性。在我们研究的第一部分，我们模拟了具有各种鳍片切割方法的FinFET过程流，以获得FinFET SRAM设备的3D模型。对硅和过程非理想的布局依赖效果在第二部分中表征并用于校准3D模型。在我们工作的第三部分中，进行过程敏感性分析以比较覆盖物和CD变化对各种鳍片切割选项的影响。

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S. Baudot, A. Soussou, A. P. Milenin, T. Hopf, S. Wang, P. Weckx, B. Vincent, J. Ervin, and S. Demuynck, "Self-aligned fin cut last patterning scheme for fin arrays of 24nm pitch and beyond", Proc. SPIE 10960, Advances in Patterning Materials and Processes XXXVI, 109600N (25 March 2019); doi: 10.1117/12.2514927;

https://doi.org/10.1117/12.2514927