8海里惠普
8纳米半间距互连的工艺建模探索
2019年2月1日
y分支几何及其维数
随机过程变化对基本光子集成电路元件传输特性的影响
2018年9月14日

白皮书:提高3D NAND闪存密度的创新解决方案

如欲免费下载白皮书,请填写以下表格:

在过去的10年里,3D NAND闪存使新一代非易失性固态存储成为可能,几乎可以在所有可以想象到的电子设备中都能使用。3D NAND可以实现超过2D NAND结构的数据密度,这是由于相对容易的3D集成,即使在下一代技术节点上制作。三维NAND结构包含垂直通道,垂直穿透交错堆叠的导体/绝缘体结构。字行通过楼梯状的结构单独访问。本白皮书将讨论3D NAND结构的工作原理和制造工艺挑战,以及提高3D NAND器件数据密度的技术。

你可能还对以下方面感兴趣:

请求演示