IBM, Coventor在SISPAD上展示22nm虚拟制造成功
这篇论文由IBM和Coventor在2013年半导体工艺和器件模拟国际会议(SISPAD)上联合发表,介绍了一种依靠3D虚拟制造的技术开发方法,通过增加对多级工艺变化的容忍度来快速提高成材率。该方法已成功地应用于高性能22nm SOI CMOS技术的开发和良率的提高。基于虚拟计量,设计并实现了专用的测试站点结构,电学结果证实了虚拟结果,验证了方法。这种3D虚拟制造技术被用于实现微妙的工艺变化,并且相同的测试站点结构验证了改进的工艺窗口收率。