多层堆栈
下一代缺陷演化,极紫外光光刻
2016年2月20日
基于TCAT[1]的3D NAND闪存阵列,每串16个单元,上栅选择层和下源选择层。
3D NAND Flash处理
2015年3月10日

白皮书:交叉晶圆诱导工艺变化的建模

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3D半导体、3D NAND Flash、finfet等先进设备正在为半导体行业带来巨大机遇。不幸的是,这些设备也带来了新的设计、工艺和生产问题。过程可变性是导致生产延迟的主要原因,因为特性大小降低了,而过程复杂性增加了。

虚拟制造是一种计算机技术,用于对半导体制造过程进行预测和三维建模。虚拟制造允许工程师在几分钟或几小时内测试半导体工艺变化和工艺可变性,而不是用实际的半导体晶圆测试他们的设计需要几周或几个月。

本白皮书探讨了使用simulator3d中的虚拟制造技术对交叉晶圆模对模半导体工艺变化进行建模。

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