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本文评估了自对准块(SAB),并通过IN5(IMEC节点5nm)车辆和金属2自对准四倍图案来图案化自对准块(SAB)和全对准的通孔(FSAV)方法。我们使用过程优化分析光刻过程中的SAB可印刷性,并证明SAB对A(8M2线X 6 M1线X 6通量)结构的图案化产量的影响。我们展示FSAV与通过图案化的标准相比,没有有益的影响,但防止两个相邻的M1线之间的介电击穿。
Benjamin Vincent,Joern-Holger Franke,Aurelie Juncker,Frederic Lazzarino,Gayle Murdoch,Sandip Halder,Joseph Ervin
https://doi.org/10.1117/12.2298761
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