论文:SiGe对PMOS中寄生参数的影响

本文利用Coventor SEMulator3D虚拟制造平台及其集成的电分析功能[1]，实现了基于仿真的设计技术协同优化(DTCO)。在我们的研究中，工艺建模被用来预测FinFET器件性能对硅锗外延工艺变化的灵敏度。模拟过程是应用于14nm FinFET的门末流过程。提取源漏极、接触电阻和边缘电容，以检验工艺变化对器件性能的影响。最后采用TCAD仿真完成晶体管级仿真。