三维南德

3DNAND闪存新代非易变固态存储3DND可实现数据密度超过2DND结构,即使编译后代技术节点上也是如此 。 提高存储容量的方法与存储器、结构稳定性和电气特征等潜在重大取舍相匹配 。 提高3DND设备数据密度的方法可以在Semulator3D中研究,以确保所选设计可制造性

3DND设备及其操作原理

3DNAND设备由三大构件组成:数据存储通道区和交替导体串加隔层a阶梯存取前述层的字行并割裂战壕隔离连接比特线的通道3DNAND栈切片显示于下方(左侧)和图示(右):

图1:边接板-三维NDAND设备

3DNAND型充电陷阱结构像上显示结构使用W和SiO2交替栈并配垂直圆柱通道穿透整栈数据写或擦除时对字行应用电子通道从通道到SiN充电陷阱

存储能力挑战

存储容量最易增加时多栈层数量,但堆栈增高则产生重大挑战可用通道面积缩小如下:

图2 3DND栈阶梯添加层增加存储密度需要更多阶梯步骤访问每一层相加每步可用通道面积(蓝箭表示)减少,因为楼梯下体积不可使用

顶楼越高可用空间越小额外挑战来自清除阶梯中阶梯中方的牺牲层3DNAND取出这些层以编织过程后段为原子层沉降空间大楼梯意味着长得多的隔离层悬浮薄空气-并有可能结构崩溃:

分割阶梯允许多字行接触插入阶梯结构,并通向更紧凑的阶梯而无此危险[2]然而,由于所有通道必须用电隔开,无障碍通道数取决于最小电线投出量,并适合通道投出量(如果每个通道有自有线投出量)。

容多四道通道, 并需分拆成周期类通道分组可使用缓冲进程穿透层子集,有效使用多层浮动门选择晶体管

亚博足球直播平台分析支持列效果

复杂制造过程创建3DNAND令难以理解存储容量、稳定性以及其他属性因堆栈多层、阶梯分治或层穿孔而变化的所有权衡虚拟过程模型下显示模拟拟制造步骤亚博足球直播平台semulator3D测试加载支持列和不同维度连接传递的结果亚博足球直播平台增加列刻入并填入SiO2支持结构清除阶梯层间牺牲物

电解3D模型电解研究单词线层并模拟列尺寸对抗药性的影响和字行能力(右手绘图中,洞直径亚博足球直播平台显示支持列提高结构稳定性,但增加字行阻抗力并使用更多空间(见下图7)。

结论

亚博足球直播平台本研究展示现实过程模型分层3DND阶梯结构并用虚拟编译提高理解取舍使用支持列增强高密度存储结构结构稳定