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新闻报导

2021| 2020| 2019| 2018| 2017| 2016年

音传感器集成从MEMS执行大会提取主题

2016年11月28日电子工程杂志Bryon Moyer
表示MEMS和传感器行业C级人员聚集并评估MEMS执行大会因为这些参加者平均标题较高,它与其他会议有很大不同感知并大都发生锁式工作(无五条不同轨迹和展览楼分心)。这使得更容易读到事物 点击阅读更多...

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光学三维建模-编译面向未来光学

EE时代++Colin Johnson 2016年11月22日
湖水,Fla编译者3D工具设计微电机系统后演进成半导体设备公司、芯片制造厂和FinFETS3D结构铸造厂、3DNAND和HD盘头MEMS和半导体供应链中的每一大公司都使用Coventor工具(半数以上客户制造半导体而不是MEMS)。下一位Coventor预测未来混合模拟/数字/波段芯片,为即将到来的光学时代添加光通道、混音器和其他专用功能建模 点击阅读更多...

我们能测量下一元FinFETs

半导体工程由Mark Lapedus 2016年11月21日
芯片机加固16m14mFINFET进程后正向10m和/或7m移动,研发5nm但他们走下进程路径时,将面临新式挑战除平面图和互连外,还有计量学度量科学用于微小电影和结构特征 点击阅读更多...

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无驱动车辆制造者、载体、无人防波制造者向MEMS传感器产业提供高级感应

MEMS传感器产业集团
MES & Sensors产业集团执行大会-11月9-11日在AZScottsdale举行-向无驾驶车辆和无人机防御制造者创新开发者-以及世界顶级运算器之一-即行业执行师共享新微电机系统/传感器未来产品需求时即备听众 点击阅读更多...

EUV为何如此难

半导体工程由Mark Lapedus 2016年11月7日
多年来,极紫外线平面学一直是一个大有希望技术,本该帮助实现高级芯片缩放研发多年后EUV仍未生产, 点击阅读更多...

发现混合未来

半导体工程由Mark Lapedus 2016年10月20日
工匠行业预测2017年数流程段将稳步增长。和往年一样,工匠市场预计2017年增长快于IC行业总体增长速度但同时,IC行业-铸造客户库-继续见证一波疯狂合并和收购活动基本归并化为腐烂客户基础 点击阅读更多...

发生反线程

半导体工程由Mark Lapedus 2016年10月20日
近10年前,业界推出一种潜在干扰技术,称为逆平面技术ILT超前时段,导致行业推送技术并归为面向特殊性应用 点击阅读更多...

屏蔽制造者Worries增长

半导体工程由Mark Lapedus 2016年9月22日
光片阵列每节点都变得越来越复杂和昂贵,从而在多条战线上制造数大挑战一方面,相片掩码特征在每个节点都变小复杂第二,因多模式化,每套蒙面数正在增加第三,造新遮罩制造设施成本更高终于,蒙面工具成本在每个节点飞涨 点击阅读更多...

排序下G内存

半导体工程由Mark Lapedus 2016年9月22日
数据中心和相关环境高端系统努力跟上数据处理中日益增长的需求系统中有一些瓶颈问题,但有一个段继续得到过多关注,即使不是部分责备,也是内存和存储层次结构问题 点击阅读更多...

快速回转

半导体工程由Ed Sperling 2016年8月23日
coventorCEO讨论如何更快地从制造中获取芯片Michael Jamiolockowski,Coventor总裁兼CEO,与半导体工程公司坐下来讨论如何提高产量坡度并优化设计下面是对话节录 点击阅读更多...

流水晶体管5nm外观

半导体工程杂志 Mark Lapedus
芯片制造者目前加速16m14mfinFET进程,转角旁有10m和7m业界五月开工TSSC希望到2020年实现5nm进程GlobalFoundries、Intel和三星为节点研发 点击阅读更多...

行业Coventor奖

硅半导体
coventor公司提供半导体装置和微电机系统自动化软件解决方案,宣布Semulator3D6.0获2016年Solid State技术奖SEMIWest行业奖项确认产品技术开发为电子制造供应链带来最大改善coventorSemulator3D被选为对产业产生重大金融、科学和社会影响者 点击阅读更多...

200毫米设备缺陷

半导体工程由Mark Lapedus 2016年7月21日
对消费电子产品、通信ICs、传感器和其他产品需求激增,造成200毫米便容缺,无减退迹象不需要用最高级流程制造芯片, 并有足够的tweaks令芯片制造者费力采购二百毫米设备因为这些老节点对芯片的需求持续上升 点击阅读更多...

星际冲突时-协同CCD和 Coventor开始重叠

电子工程杂志bryon Moyer
天文给宇宙大事件之一带来无孔不入的期望:两个星系相遇(或穿透)问题在于,它会以惊人速度缓慢发生-每个态星系旋转开去,它们之间的距离缓慢蒸发观察它是一种采样练习:看看它们在哪里!午睡几个世纪苏醒后看到,yup,他们近一点午睡重新醒来,抢新啤酒, 和dogonit,如果它们不只是微小近点篮球不是 点击阅读更多...

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coventor获West最佳奖

固态状态技术由主编Pete Singer20177年7月18日
Solid State技术与SEMI周三宣布2016年SemulatorServer3D奖得主-Chventor奖项确认电子制造供应链中重要的产品和技术发展最佳西方决赛选手基于其对产业、工程或科学成绩和/或社会影响的金融影响 点击阅读更多...

SEMICON西部-旧金山市

电子产品Jim Harrison 2016年7月15日
SEMICONWest行业组织SEMI用两个演示向业界提供一些洞察力SEMI有2 000多成员公司从事电子制造科学和商务首次演讲由总裁兼CEOD Denny McGuirk主讲,他指出半导体行业发生的两大事件:大规模产业合并和重整(1 000亿美元并购)和对IoT和智能制造日益增长的需求 点击阅读更多...

原子层Etch热向上

半导体工程杂志Ed Sperling2016年6月27日
原子层扩展市场开始加热芯片机推向10nmALE是一种有前途的下一代拉技术,过去几年来一直在研发中使用,但到目前为止很少或根本不需要使用它。传统取材工具持续去除材料,ALE承诺有选择和精确去除原子级目标材料 点击阅读更多...

临到了吗通7nm路配有预测模型

2016年6月27日由Amelia Dalton
偏差路程偏偏偏偏偏偏偏偏偏偏偏偏偏我们知道路通7m半导体节点并坦率地说,它们不光有风景本周FryFry处理小泰坦试验和磨难和Ceventor7nm的DavidFreid 点击监听

集思广益:可穿

2017年6月20日产品设计开发员工
产品设计开发集思广益中,我们与行业领袖商谈,以了解他们对设计工程市场关键问题的看法。问题解答:关键技术趋势中有哪些将决定穿戴器市场进化? 点击阅读更多...

RC提取虚拟fab模型可加速PDK可用性

技术设计论坛 Luke Collins 2016年6月10日
编译者更新了Semulator3D虚拟仿真工具,从模型中提取预测阻抗力和电容值可使用分析工具加速提供快速进化过程早期PDKSemulator3D摘要IC生成行为模型,以便它能模拟全过程 点击阅读更多...

ee时间

DAC:Cventor向Semulator3D版本6.0添加电解

EE时代++Colin Johnson | June 7, 2016
LAKEWALES,Fla.-MEMS三维设计工具转换成三维半导体设计工具 点击阅读更多...

MEM问题

半导体工程由Mark Lapedus 2016年5月25日
物联网的到来将为MEMS传感器打开一连串新机,但芯片机正在谨慎发展有多种理由限制微电机系统难以设计、制造和测试,这在MEMS生态系统中起先激起乐观作用,即市场会得到模拟设计所能保持的相同溢价。 点击阅读更多...

下一个挑战:接触抗争

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年5月23日
芯片缩放不缺挑战FinFET晶体管和互连对当前和未来设备构成最大挑战现在,设备中的另一部分正成为问题-接触 点击阅读更多...

如何制造3DNAND

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年5月23日
2013年三星通过载运世界首个三维南德设备实现IC行业一个重大里程碑英特尔微信 Sk Hynix 和 SanDisk/Toshibadu 点击阅读更多...

DSA出了什么事

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年5月19日由Mark Lapedus编写
自组自新直到最近才成为下一代Lithraphy发生什么了近五年前隐蔽模式化技术即DSA冲上场面并开始产生产业势头 点击阅读更多...

批量CMOSVFDSOI

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年5月19日由Mark Lapedus编写
芯片市场前端日益分化是移到finFETs还是使用不同材料甚至可能高级打包留在28nm 点击阅读更多...

内部过程技术

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年5月10日
半导体工程公司坐下来与Cventor首席技术主管David Fried讨论铸造业务、内存流程技术、平面画等专题,Ceventor提供预测建模工具下面是对话节录芯片制造者今天高举16m14mfyFETs, 近角有10m7mfETs你看到这些高级节点发生什么, 特别是7m 点击阅读更多...

EUV挑战:Pellicles

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年4月27日
极紫外线平面尚不准备高容量制造,但技术至少向正确方向发展EUV光源和阻力都取得显著进展,并存EUV掩码基础架构也有一些漏洞 点击阅读更多...

互连挑战上升

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年4月21日
芯片制造者加速14mfinFET进程,10m和7m定时可能在今年或明年晚些时候发船
公元前10点以上,IC商家决定缩放FinFET结构的两个主要部分-晶体管和互连通常晶体管缩放在高级节点上仍具有挑战性外加互连可能继续滑入曲线后 点击阅读更多...

7mFab挑战

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年4月21日
顶尖铸造厂从传统平面流程向FinFET晶体管时代的富有挑战性过渡第一批FinFET基于 22nm节点, 现在行业正在加速16m14m技术未来问题在于FinFET可缩放多远 点击阅读更多...

多波束市场热向上

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年3月17日
多波束电子波束写作业务正在加热,Intel和NuFrare单独进入新兴市场Intel正在获取IMS Nanofbrocation, 多波束电子波束设备商电子波束巨头NuFlare最近披露了它新的多波束掩码写技术 点击阅读更多...

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MEMS大挑战首发

EE时代++Colin Johnson2016年3月16日
LAKEWALES Fla-Service并推广微电机系统设计是MEMS设计竞赛的目标昨天(3月16日)在欧洲数据自动化测试大会上宣布(DATE2016年3月15日至17日,德国德累斯登)。更具体地说,比赛鼓励芯片设计师使用设计工具向芯片设计添加MEMS块由Cadence设计系统、Ceventor、X-FAB和Reutlingen大学赞助,比赛将使用特殊过程设计包PDK,优胜者用它编译MEM芯片有兴趣参加Date会议启动环球MEMS设计竞赛 点击阅读更多...

7nm线程选择

半导体工程杂志 Mark Lapedus 2016年3月7日
芯片制造者加速16nm14m逻辑过程,预计今年晚些时候10nm实现早期制作芯片制作者不使用今日193nm沉浸式多图案1614m和10nm芯片制造者集中研究7m平面选择 点击阅读更多...

感应者回游

桌面工程由Tom Kevan 2016年3月1日
都从智能手机和气囊开始设计工程师开始将数目日益增多的传感器整合到这些系统中,以利智能性能伯克利大学教授Alberto Sangiovanni-Vincentelli描述为“感知群群 ”, 即多式传感器填充网络物理世界专家预测到2025年群数可达7万亿设备 点击阅读更多...

半控件设计

新的MEMS设计竞赛鼓励MEMS技术进步

半导体工程设计社区
由Cadence设计系统、Cventor、X-FAB和Reutlingen大学联合赞助,2016年DATE将推出一个新的MES设计竞赛比赛的目的是鼓励提高MEMS装置和混合信号CMOS块集成的智慧开赛时间为2016年3月17日星期四14:00至5:30, 点击阅读更多...

半控件设计

下金Litho技术是什么可能全部

半导体工程设计社区Jeffdorsch
SPIE高级线程学术讨论会圣何塞卡利夫193i沉浸式和极端紫外线映射法未来将并存,同时指令自组印式纳米版映射法,甚至电子波束直接写法技术也将合编入图片中。 点击阅读更多...

定向自组可能提供相似益EUV,过程建模研究表示

技术设计论坛 Luke Collins20162月23日
指令自组技术在流程变异控制方面可提供与EUV平面绘制相似的优势,根据使用3D行为过程建模技术进行的一项研究它可以减少容积周期时间、易流程集成并节省高级半导体过程成本,特别是DRAMs成本,DRAMs常规结构完全适合DSA使用 点击阅读更多...

coventorASMLIMEC:最后半纳米

半wiki.com由Scotten Jones 2016年1月20日
12月8日星期二晚上IEDMCEVENTOR举行小组讨论,题目是“最后半纳米计”。Coventor是模拟软件的主要提供者,用于设计过程今年是我第三年参加EDMCEVENTOR小组讨论,他们总是极佳并有强力分组和讨论由Coventor的DavidFriedCTO、ASML的Alek Chen、IMEC的AaronSeon和UCLA的SubramanianIyer组成Subramanian同时担任小组成员和主持人 点击阅读更多...

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