プロセスの最適化を加速する仮想製作プラットフォーム
EE Times日本| 2020年9月23日
高度なCMOSプロセスの微細化やメモリ技術の進化に伴い,デバイス製造における構造がますます複雑化しています。例えば,NAND型フラッシュメモリの場合,垂直方向に拡張するためにメモリスタックの積層数を増やすことによって,面積の微細化を継続しながら,高アスペクト比のエッチングパターンとステアケースにおけるコンタクト層の増加を実現するという課題が生じています。また,微細化の課題を解決するために特別なインテグレーションとパターニングスキームの採用は,デザインルールにおける課題を生み出しています。点击阅读更多…