专家们的想法:交付半导体技术的未来5年

Coventor最近在IEDM 2017赞助了一个专家小组讨论，讨论我们如何推动半导体行业进入下一代技术。该小组讨论了解决技术扩展的基本问题的替代方法，使用先进的半导体架构、模式、计量、先进的过程控制、减少变化、协同优化和新的集成方案。我们的小组成员包括Lam Research的首席技术官Rick Gottscho;GlobalFoundries高级模块工程副总裁Mark Dougherty;KLA-Tencor的技术研究员David Shortt;ASML计算光刻产品副总裁Gary Zhang;以及新星测量仪器公司的首席技术官谢伊·沃尔夫林。

以下是专家在讨论中对未来5年半导体技术的一些预测:

finfet将被扩展到至少5纳米，可能3纳米

Lam Research的Rick Gottscho认为finfet将至少扩展到5纳米，甚至可能是3纳米。Nova测量仪器公司的Shay Wolfing预测，在FinFET扩展不能进一步扩展之后，纳米片技术可以被使用。

EUV将用于新的节点，然后是高NA光刻

ASML的Gary Zhang表示，EUV将在新的节点上驱动光刻，而高na是EUV技术路线图上的扩展。加里认为，管理这些新的光刻技术的复杂性和成本将具有挑战性，但可行。

材料和基本结构可能因供应商而异，在7纳米及以上

GlobalFoundries的马克•多尔蒂(Mark Dougherty)指出，供应商最终可能无法在相同的材料和基本结构上达成一致，以扩大半导体技术的规模。可能会有一些分歧，例如在线的后端冶金。

计量学可以满足未来的技术挑战，但检验和测量成本可能会上升

Gary Zhang证实，一埃以下的3D测量现在是可能的，我们在不久的将来有测量解决方案。kak - tencor公司的David Shortt认为，检测和计量的端到端周期时间和成本都在增加，除非在开发过程的早期就开始降低技术风险，否则这种趋势可能会持续下去。

3D NAND技术将继续超越现有的48层结构

Rick Gottscho表示，他认为未来10年3D NAND制造技术的规模将达到256层。里克对薄膜应力和满足这种缩放投影的挑战性蚀刻要求有些担忧。

如果您有兴趣阅读更多关于这次专题讨论的内容，您可以在以下网站找到专题讨论的第一部分全文半导体工程．《半导体工程》的后续文章将重点介绍小组讨论的其余内容，包括专家对先进过程控制、减少变化、协同优化和新的集成方案在交付半导体技术未来5年中的作用的观点。